什么是n型和p型半導(dǎo)體？在純凈半導(dǎo)體硅中摻入五價元素磷，其外層的五個電子和硅原子的4個電子組成共價鍵時，半導(dǎo)體會有大量帶負電荷的電子，這種電子偏多的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。如果在純凈半導(dǎo)體硅中摻入三價元素硼后，半導(dǎo)體中的電子偏少，產(chǎn)生大量的空穴（可以看作正電荷），這種空穴偏多的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。

如果設(shè)法是半導(dǎo)體的一部分是N型，另一部分是P型的，這樣做構(gòu)成了一個理想的突變結(jié)。在P區(qū)域中有大量的空穴，而在N區(qū)域中有大量的電子，形成了載流子的不均勻狀態(tài)，因而N區(qū)濃度大的載流子電子就會向P區(qū)擴散，而P區(qū)濃度大的載流子空穴就會向N區(qū)擴散，形成擴散電流。擴散的結(jié)果是N區(qū)的電子減少，在N區(qū)的一邊出現(xiàn)帶正電子的原子，即正離子。同樣P區(qū)由于空穴減少，使P區(qū)一邊出現(xiàn)帶負電的負離子。例子質(zhì)量較大，不會移動，因此在P區(qū)和N區(qū)的交界處就形成了一個一邊帶正電荷、另一邊帶負電荷的空間電荷區(qū)，這就是PN結(jié)。

   關(guān)于二極管pn結(jié)

二極管是一種常見的半導(dǎo)體元件。二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。

二極管是一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，其電流只能由陽極流向負極。具有單向?qū)щ娦?，具有正負兩個端子，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。廣泛應(yīng)用于各類電子電路中。如電源系列、汽車電子、消費類電子等。這就是二極管整流電路的工作原理，對此穎展電子向大家進一步詳細介紹其原理特征：

1.正向?qū)ǎ寒?dāng)在PN結(jié)上加上正向電壓后，P區(qū)連接電源正極，N區(qū)連接電源負極，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)，通過測試，如果試燈上有電流流過，燈泡被點亮。

2.反向截止：當(dāng)在PN結(jié)上加上反向電壓后，P區(qū)連接電源負極，N區(qū)連接電源正極，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)，如試燈上無電流流過，燈泡處于熄滅狀態(tài)。

3.反向擊穿：按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。

對于二極管pn結(jié)的問題想必大家已經(jīng)明白，二極管其實就是一個PN結(jié)，在P區(qū)與N區(qū)的鄰界面兩側(cè)存在空間電荷層，并形成自建電場，當(dāng)無外加電壓時，由于擴散電流與漂移電流相等而處于平衡狀態(tài);當(dāng)外加正向電壓時，外加電場與自建電場相互抵消，擴散電流增加引起了正向電流，使得電路處于導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)外加反向電壓時，外加電場與自建電場進一步加強，形成反向飽和電流，使得電路處于截止?fàn)顟B(tài);當(dāng)外加反向電壓相當(dāng)高時，產(chǎn)生大量電子空穴對，出現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象。

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