什么是吸收電容?吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。一般常用在有絕緣柵雙極型晶體管,消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓,避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。
吸收電容的技術(shù)參數(shù)
電容量: 0.0047 6.8μF
額定電壓: 700 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5℃,1Min
工作溫度: -40~+85℃ B6-6
吸收電容在變頻器中的應用
1、電容電流的主電器圖:
2、電路中電容對應EACO電容型號:
DC-LNK電容C1:SHG、SHD、SHE、SHC
DC-LNK電容C1
注:同時需了解設(shè)備的使用場合、功率、電壓等級、原電解使用容量和電壓、IGBT使用頻率。
吸收電容的技術(shù)參數(shù)
電容量: 0.0047 6.8μF
額定電壓: 700 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5℃,1Min
工作溫度: -40~+85℃ B6-6
吸收電容在變頻器中的應用
1、電容電流的主電器圖:
2、電路中電容對應EACO電容型號:
DC-LNK電容C1:SHG、SHD、SHE、SHC
IGBT保護電容C2、C3、C4:STM、STD、STC、STF、STS、STE
DC-LNK電容C1
電壓選擇:跟據(jù)客戶設(shè)備使用電壓來選擇,電容額定電壓不低于客戶使用電壓。
容量選擇:替代電解電容的容量為:電解電容容量的1/3~1/4。
注:同時需了解設(shè)備的使用場合、功率、電壓等級、原電解使用容量和電壓、IGBT使用頻率。
IGBT保護電容
電壓選擇:跟據(jù)客戶IGBT電壓等級來選擇,電容額定電壓一般不低于客戶使用電壓。
容量選擇:C2、C3、C4容量為:IGBT實際工作電流每100A使用容量大約1UF。在此我們推薦470UF25V貼片電解電容,具體參數(shù)和詳細介紹請在電阻電容系列產(chǎn)品里了解。
穎展電子專業(yè)從事電子元器件一站式配套服務,各種吸收電容,電阻,二極管,三極管,ic芯片等品種型號大量庫存,本網(wǎng)站所有電容,電阻等電子元器件中文或英文資料免費下載,更多資訊歡迎來電咨詢。
相關(guān)資訊
穎展電子最新產(chǎn)品
{$newproduct$}
同類文章排行
- 走進十大最常用電子元器件,你了解幾個?
- 什么是ic驅(qū)動電源芯片 如何配置在LED燈具上?
- 3月幫電容廠打工,4月幫電阻廠商打工,5月MLCC又來收租!
- 國內(nèi)權(quán)威專家:我國光電子高端芯片研制已具備基本條件
- 重磅!恒大進軍半導體!1000億!
- 智能ic芯片提升機器人技術(shù)應用領(lǐng)域
- 電子元器件行業(yè)2017年度投資策略:關(guān)注集成電路和汽車電子
- 這類產(chǎn)品比石油還稀缺,中國8年逆差上萬億美元
- 存儲器架構(gòu)對系統(tǒng)性能的影響
- 2016下半年電子元器件行業(yè)最新動態(tài)行情