國內(nèi)外市場(chǎng)需求為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)提供了光明前景。目前一批極大規(guī)模集成電路制造設(shè)備、集成電路先進(jìn)封裝工藝制造設(shè)備、高亮度發(fā)光二極管制造設(shè)備開發(fā)成功，國產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)從無到有、從低端設(shè)備到高端設(shè)備的突破，在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。

面對(duì)快速發(fā)展的半導(dǎo)體工業(yè)和各層次半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)品的大量需求，按照“戰(zhàn)略性、前瞻性、宏觀性”和可持續(xù)發(fā)展的宏觀思路以及“有所為，有所不為”的原則，根據(jù)我國的具體現(xiàn)狀，我國半導(dǎo)體設(shè)備采取了分層次發(fā)展的方式，已經(jīng)取得了初步的進(jìn)展。

1、組織優(yōu)勢(shì)力量，利用海內(nèi)外技術(shù)資源，選擇制約我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備，采取引進(jìn)消化吸收與自主創(chuàng)新相結(jié)合的方式，開展基礎(chǔ)技術(shù)研究、聯(lián)合開發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，培養(yǎng)隊(duì)伍，形成支撐我國半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展的專用設(shè)備技術(shù)平臺(tái)，為長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展打下了基礎(chǔ)。在此方面，我國幾臺(tái)高水平的關(guān)鍵設(shè)備已取得不同程度的進(jìn)展，有的已在用戶的生產(chǎn)線上安裝，目前正處于驗(yàn)收階段。

2、根據(jù)半導(dǎo)體和集成電路專用設(shè)備遞進(jìn)發(fā)展、多代共存的特點(diǎn)，在瞄準(zhǔn)世界先進(jìn)水平的同時(shí)，鞏固已有成果，提高產(chǎn)品質(zhì)量，滿足其它工藝層次生產(chǎn)線對(duì)專用設(shè)備的需求。在此方面，國內(nèi)企業(yè)研制的一批12英寸及以下的生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)取得初步成果并正在穩(wěn)步推進(jìn)。

3、在高技術(shù)的平臺(tái)下擴(kuò)大覆蓋范圍，積極開發(fā)寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件制造設(shè)備、新型顯示器件制造設(shè)備、半導(dǎo)體照明設(shè)備、太陽能電池制造設(shè)備以及其它越來越廣泛的半導(dǎo)體設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域所需要的各種專用設(shè)備，形成多品種、系列化的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

在政策方面，“十二五”期間國家出臺(tái)支持發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)備制造業(yè)的諸多政策，國家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項(xiàng)”明確提出，“十二五”期間將重點(diǎn)進(jìn)行45—22納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān)等，使裝備和材料占國內(nèi)市場(chǎng)的份額分別達(dá)到10%和20%，并開拓國際市場(chǎng)。

技術(shù)方面，為推動(dòng)中國集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“黃金發(fā)展時(shí)期”，面向國家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，將以局部關(guān)鍵技術(shù)突破為主向全局性、系統(tǒng)性、集成性重大創(chuàng)新轉(zhuǎn)變，組織創(chuàng)新研發(fā)聯(lián)盟，重點(diǎn)提升企業(yè)創(chuàng)新能力。同時(shí)從“跟隨戰(zhàn)略”轉(zhuǎn)向“創(chuàng)新跨越”，在若干核心技術(shù)領(lǐng)域形成具有特色的創(chuàng)新技術(shù)和創(chuàng)新產(chǎn)品。

SMT設(shè)備與半導(dǎo)體設(shè)備融合趨勢(shì)日趨明顯

隨著表面貼裝技術(shù)的日益發(fā)展和成熟，中國的SMT(表面貼裝)產(chǎn)業(yè)也得到了快速發(fā)展，涌現(xiàn)出了眾多的以表面貼裝技術(shù)為主的中小型電子制造服務(wù)企業(yè)，快速發(fā)展的市場(chǎng)為SMT設(shè)備提供了強(qiáng)勁的需求動(dòng)力。

電子產(chǎn)品小型化的要求，在電子制造中的晶圓級(jí)封裝也得到更多的應(yīng)用，這些使得SMT設(shè)備向上端半導(dǎo)體設(shè)備融合的趨勢(shì)日趨明顯。傳統(tǒng)的SMT廠商不提供半導(dǎo)體封裝設(shè)備，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體設(shè)備廠商不提供SMT的封裝設(shè)備，在SMT與半導(dǎo)體日益融合的今天，需要有人來提供這樣一種融合的設(shè)備。芯片級(jí)封裝對(duì)設(shè)備提出了更高的要求，要求設(shè)備有更高的精度。為了將更多功能壓縮入更小空間之中，越來越多元件以堆疊封裝(PoP)的形式被貼裝在電路板上。

半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)趨勢(shì)

未來驅(qū)動(dòng)各半導(dǎo)體廠投資的新技術(shù)為20奈米FinFED和3D NAND制程，需要的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備成長(zhǎng)，帶動(dòng)相關(guān)業(yè)者資本支出再攀高。未來半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)呈現(xiàn)以下5個(gè)發(fā)展方向：

1、高精度化

不斷縮小的芯片特征尺寸要求設(shè)備高精度化。如其中的關(guān)鍵設(shè)備stepper(準(zhǔn)分子激光掃描分步投影光刻機(jī))必須通過縮小曝光光束的波長(zhǎng)、增大數(shù)值孔徑(NA)和擴(kuò)大視場(chǎng)面積、提高分辨率來不斷提高光刻精度。

2、加工晶圓大尺寸化

不斷擴(kuò)大的晶圓尺寸可以提高產(chǎn)量和降低成本，從而獲取更大的利潤(rùn)。2003年世界頂級(jí)半導(dǎo)體制造商英特爾、三星、Infineon、Micron、Elpida和力晶半導(dǎo)體等均開工了多條300mm晶圓生產(chǎn)線。

3、加工晶圓單片化

200mm晶圓生產(chǎn)線采用常規(guī)的高半成品(WIP)晶圓批處理生產(chǎn)方式。300mm晶圓生產(chǎn)線將采用低半成品、單晶圓片、連續(xù)流生產(chǎn)方式，據(jù)估計(jì)，一家采用單晶圓片流程加工300mm晶圓的工廠每月初始生產(chǎn)的晶圓片數(shù)量是加工200mm晶圓片普通工廠的2倍，而且成本和復(fù)雜性都大幅度降低。因此，隨著晶圓的大尺寸化，對(duì)300mm晶圓必須采用單晶圓片連續(xù)流生產(chǎn)方式。

4、設(shè)備組合化

隨著IC集成度的不斷提高，IC制造工藝越來越復(fù)雜，工藝流程越來越長(zhǎng)，為了減少對(duì)晶圓的污染和提高生產(chǎn)效率，設(shè)備制造商將多種設(shè)備組合在一起，變成聯(lián)動(dòng)機(jī)，具有多種功能。原來后道封裝、測(cè)試設(shè)備較多制成聯(lián)動(dòng)機(jī)，現(xiàn)在逐漸擴(kuò)大到前道設(shè)備。為了滿足300mm品圓生產(chǎn)線采用單晶圓片、連續(xù)流生產(chǎn)方式，必須使設(shè)備、工具、晶圓片都發(fā)生變動(dòng)，它們互相之間應(yīng)盡量緊湊。目前日本正在研發(fā)“迷你型”生產(chǎn)線，如DIIN計(jì)劃(2001—2007)，投資125億日元，建立迷你型工廠，以超短出貨時(shí)間生產(chǎn)數(shù)碼家電用SoC。

5、全自動(dòng)化

由于300mm晶圓生產(chǎn)線采用單晶圓片、連續(xù)流生產(chǎn)方式，所以300mm晶圓生產(chǎn)線的一切都應(yīng)是自動(dòng)化操作。在300mm晶圓生產(chǎn)線中，只40%的人與各種材料的移動(dòng)有關(guān)，而200mm晶圓生產(chǎn)線中，這個(gè)比例是60%。